ACER HT200 DDR5 ya está disponible en México
Esta edición de CES es el escenario elegido por Samsung para mostrar su última generación de dispositivos móviles de más alta gama. Sin embargo, días antes del inicio del macroevento, la compañía se ha descolgado con el anuncio de un nuevo chip de memoria que permitirá a smartphones y tablets de nueva generación alcanzar hasta 4 GB de RAM.
Samsung ha desarrollado el primer modelo de memoria móvil DRAM de bajo consumo y doble velocidad de datos de la industria que permitirá equipar los smartphones y tablets de más alta gama y lograr alcanzar los 4 GB de RAM.
Los móviles inteligentes de gama más alta actuales apenas alcanzan los 2 GB de RAM aunque el propio Galaxy Note de Samsung ha podido llegar a los 3 GB. Pero el aumento de la memoria y la mejora el rendimiento que ofrece el nuevo chip de Samsung puede dotar a las aplicaciones de mayor capacidad de respuesta y abrir la puerta a funciones más avanzadas y pantallas de mayor resolución. Además, el producto también consume menos energía que los chips de memoria actuales, según la compañía.
El nuevo componente se dirigirá a teléfonos inteligentes de gran formato, tablets y portátiles ultradelgados, según ha reconocido Samsung que adelanta que algunos podrían incluso destinarse a las pantallas 4K de televisión.
En este mismo terreno, Qualcomm ha anunciado recientemente el procesador Snapdragon 805, que cuenta con cuatro núcleos capaces de alcanzar velocidades de hasta 2,5 GHz y que se espera que estén disponibles comercialmente en el primer semestre de este nuevo año.
Francisco Carrasco, CIO America Latina
