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Intel Corporation está celebrando su Intel Developer Forum en San Francisco, del 22 al 24 de septiembre. Paul Otellini, Presidente y CEO de Intel, mostró hoy los primeros chips en funcionamiento del mundo construidos mediante la tecnología de proceso de 22 nm.
Intel continúa persiguiendo sin descanso la Ley de Moore y ofreciendo sus beneficios a los usuarios finales. Marcando la tercera generación de transistores de high-k metal gate, este evento llega dos años después de que Intel mostrase circuitos de prueba en funcionamiento de la generación previa, de 32 nm y demuestra que la Ley de Moore continúa vigente. Eso relega al pasado las predicciones de los expertos que creían que la industria se chocaría con una barrera de escala.
Las SRAMs se usan como vehículos de prueba para mostrar el desempeño de la tecnología, el proceso de producción y la fiabilidad del chip antes de comenzar a producir los procesadores y otros chips lógicos que usarán el proceso de fabricación dado.
Intel está ahora en el modo de pleno desarrollo de 22 nm y a buen ritmo para continuar con su modelo de “tic-toc” hacia la próxima generación.
Los circuitos de prueba de 22 nm incluyen tanto la memoria SRAM como los circuitos lógicos que se usarán en los microprocesadores de 22 nm.
Las células de SRAM de 0,108 y 0,092 micrómetros cuadrados funcionan en una matriz que totaliza 364 millones de bits. La célula de 0,108 micrómetros cuadrados está optimizada para operar con bajo voltaje. La célula de 0,092 micrómetros cuadrados está optimizada para una alta densidad y es la célula de SRAM más pequeña en circuitos en funcionamiento conocida hasta la fecha. El chip de prueba contiene 2.900 millones de transistores, con una densidad de aproximadamente el doble de la previa generación de 32 nm, en un área tan pequeña como una uña.
Las dimensiones de 22 nm se moldean con herramientas de exposición que usan luz con una longitud de onda de 193 nm, un testimonio notable del ingenio de los ingenieros de litografía de Intel.
Esta tecnología de 22 nm continúa entregando la promesa de la Ley de Moore: transistores más pequeños, un desempeño mejorado/un costo más bajo y menos vatios por transistor.
